Мой сайт
Наш опрос
Оцените мой сайт
Всего ответов: 4
Статистика

Онлайн всего: 2
Гостей: 2
Пользователей: 0
Форма входа
Поиск
Календарь
«  Март 2013  »
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031
Архив записей
Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz
  • Главная » 2013 » Март » 17 » Влияние значения диэлектрической проницаемости
    08:32
     

    Влияние значения диэлектрической проницаемости

    Влияние значения диэлектрической проницаемости подложки печатной платы

    Диэлектрическая проницаемость подложки печатной платы оказывает наиболее сильное влияние на время распространения сигнала и волновое сопротивление линии передачи. Этого результата следовало ожидать. Поскольку подложка, по сути, является диэлектриком, находящимся между двумя обкладками конденсатора — полигоном заземления и проводником, то изменение диэлектрической проницаемости материала подложки приводит к наиболее сильному изменению параметров линии передачи. В табл. 8.4 представлены результаты расчета влияния значения диэлектрической проницаемости подложки печатной платы на параметры линии передачи.

    Влияние значения диэлектрической проницаемости подложки печатной платы

    Рис. 8.25. Влияние диэлектрической проницаемости паяльной маски на время задержки распространения сигнала.

    Влияние значения диэлектрической проницаемости подложки печатной платы

    Рис. 8.24. Влияние диэлектрической проницаемости паяльной маски на волновое сопротивление.

    Разница между максимальным и минимальным временем задержки распространения сигнала при изменении диэлектрической проницаемости печатной платы от 4 до 5,5 составила 0,86 нс/м. Разница между крайними значениями волнового сопротивления составила 6,49 Ом, что составляет почти 13 % от номинального. Это весьма значительное отклонение, что говорит о необходимости жестко контролировать значение относительной диэлектрической проницаемости основания печатной платы.

    Таблица 8.4 — Результаты расчета влияния значения диэлектрической проницаемости подложки печатной платы на параметры линии передачи.

    Диэлектрическая проницаемость

    Энергия поля, Дж

    Погонная емкость, Ф/м

    Эффективная диэлектрическая проницаемость

    Время задержки распространения сигнала, нс/м

    Волновое

    Сопротивление,

    Ом

    4,0

    5.836E-11

    1,167E-10

    3,19901

    5,90231

    51,09797

    4,1

    5,957E-11

    1,191E-10

    3,26480

    5,96269

    50,58050

    4,2

    6,079E-11

    1,216E-10

    3,33333

    6,02495

    50,05786

    4,3

    6.201E-11

    1,240E-10

    3,39912

    6,08411

    49,57106

    4,4

    6,323E-11

    1,265E-10

    3,46765

    6,14514

    49,07878

    4,5

    6,444E-11

    1,289E-10

    3,53344

    6,20316

    48,61973

    4,6

    6,566E-11

    1,313E-10

    3,59923

    6,26064

    48,17333

    4,7

    6,687E-11

    1,337E-10

    3,66502

    6,31760

    47,73900

    4,8

    6,808E-11

    1,362E-10

    3,73355

    6,37639

    47,29884

    4,9

    6,929E-11

    1,386E-10

    3,79934

    6,43233

    46,88754

    5,0

    7,051E-11

    1,410E-10

    3,86513

    6,48778

    46,48678

    5,1

    7,172E-11

    1,434E-10

    3,93092

    6,54276

    46,09613

    5,2

    7,293E-11

    1.459E-10

    3,99945

    6,59955

    45,69949

    5,3

    7,414E-11

    1,483E-10

    4,06524

    6,65361

    45,32820

    5,4

    7,534E-11

    1,507E-10

    4,13103

    6,70723

    44,96581

    5,5

    7,655E-11

    1,531E-10

    4,19682

    6,76043

    44,61197

    На рис. 8.26 представлен график зависимости волнового сопротивления микрополосковой линии передачи от значения диэлектрической проницаемости основания печатной платы, а на рис. 8.27 — зависимость времени задержки распространения сигнала от диэлектрической проницаемости основания платы.

    Определенный интерес для анализа представляет картина электрического поля исследуемой линии передачи. Солвер ELCUT позволяет визуализировать рассчитанное электрическое поле в виде эквипотенциалей и векторов напряженностей поля. В качестве примера на рис. 8.28 приведена картина электрического поля микрополосковой линии.

    Похожие материалы:

    Просмотров: 419 | Добавил: wasittle | Рейтинг: 0.0/0
    Всего комментариев: 0